Número de Producto del Fabricante:
FQPF630
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQPF630-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
20715 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946690
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ENVIAR
FQPF630 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
464
Otros nombres
2156-FQPF630
FAIFSCFQPF630
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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