FQPF9N50CF
Número de Producto del Fabricante:

FQPF9N50CF

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQPF9N50CF-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

127782 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946412
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FQPF9N50CF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
FRFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
850mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1030 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
413
Otros nombres
2156-FQPF9N50CF
ONSONSFQPF9N50CF

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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