FQU4N25TU
Número de Producto del Fabricante:

FQU4N25TU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQU4N25TU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Through Hole IPAK

Inventario:

3247 Pcs Nuevos Originales En Stock
12817789
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FQU4N25TU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
606
Otros nombres
FAIFSCFQU4N25TU
2156-FQU4N25TU-FS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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