Número de Producto del Fabricante:
HUF76409D3ST
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
HUF76409D3ST-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
25004 Pcs Nuevos Originales En Stock
12932556
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ENVIAR
HUF76409D3ST Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
485 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
579
Otros nombres
FAIFSCHUF76409D3ST
2156-HUF76409D3ST
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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