Número de Producto del Fabricante:
IRFW840BTM
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
IRFW840BTM-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.13W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
2466 Pcs Nuevos Originales En Stock
12932170
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ENVIAR
IRFW840BTM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 134W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
634
Otros nombres
2156-IRFW840BTM
FAIFSCIRFW840BTM
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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