Número de Producto del Fabricante:
ISL9N308AP3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
ISL9N308AP3-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
3200 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954236
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
ISL9N308AP3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UltraFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
370
Otros nombres
2156-ISL9N308AP3
FAIFSCISL9N308AP3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AOT600A60L
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
SI3451DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
TSG65N190CR RVG
650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
