Número de Producto del Fabricante:
NDH832P
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
NDH832P-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventario:
73243 Pcs Nuevos Originales En Stock
12901850
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ENVIAR
NDH832P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.7V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-8
Paquete / Caja
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
807
Otros nombres
2156-DGH832P-FSTR-DG
FAIFSCNDH832P
2156-NDH832P
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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