Número de Producto del Fabricante:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
RFD4N06LSM9A-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
67132 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816900
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ENVIAR
RFD4N06LSM9A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
533
Otros nombres
2156-RFD4N06LSM9A
FAIFSCRFD4N06LSM9A
2156-RFD4N06LSM9A-FSTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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