SSI4N60BTU
Número de Producto del Fabricante:

SSI4N60BTU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

SSI4N60BTU-DG

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

50126 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938297
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SSI4N60BTU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
634
Otros nombres
2156-SSI4N60BTU
FAIFSCSSI4N60BTU

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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