Número de Producto del Fabricante:
GPIHV7DK
Product Overview
Fabricante:
GaNPower
Número de pieza:
GPIHV7DK-DG
Descripción:
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 7A Surface Mount
Inventario:
467 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976582
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ENVIAR
GPIHV7DK Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GaNPower
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V
vgs(th) (máx.) @ id
1.7V @ 3.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.1 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+7.5V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
90 pF @ 700 V
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
4025-GPIHV7DKTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A001
HTSUS
8541.49.7000
Certificación DIGI
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