Número de Producto del Fabricante:
G2R1000MT17D
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G2R1000MT17D-DG
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 5A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
6559 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945350
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ENVIAR
G2R1000MT17D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G2R™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
111 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
G2R1000
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1242-G2R1000MT17D
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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