Número de Producto del Fabricante:
G3R60MT07D
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G3R60MT07D-DG
Descripción:
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Descripción Detallada:
750 V Through Hole TO-247-3
Inventario:
2888 Pcs Nuevos Originales En Stock
12958893
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ENVIAR
G3R60MT07D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G3R™
Estado del producto
Active
Tipo FET
-
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
750 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
+20V, -10V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1242-G3R60MT07D
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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