25P06
Número de Producto del Fabricante:

25P06

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

25P06-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V 25A TO-252
Descripción Detallada:
P-Channel 25A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

50000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997408
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

25P06 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-25P06TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SQA600CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

FDD6685-G

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

rohm-semi

RF4G100BGTCR

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M

onsemi

NVH4L020N090SC1

SIC MOSFET 900V TO247-4L