Número de Producto del Fabricante:
G2003A
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G2003A-DG
Descripción:
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Descripción Detallada:
N-Channel 190 V 3A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
3043 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002051
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ENVIAR
G2003A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
190 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
540mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
580 pF @ 25 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
4822-G2003ATR
3141-G2003ACT
3141-G2003ATR
3141-G2003ADKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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