G29
Número de Producto del Fabricante:

G29

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

G29-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23
Descripción Detallada:
P-Channel 4.1A (Tc) 1.05W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventario:

200000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978217
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G29 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.05W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
4822-G29TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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