G7K2N20LLE

Número de Producto del Fabricante:

G7K2N20LLE

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

G7K2N20LLE-DG

Descripción:

MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6

Descripción Detallada:

N-Channel 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L

Inventario:

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13004436

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G7K2N20LLE Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Goford Semiconductor

Embalaje

-

Serie

TrenchFET®

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

700mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Vgs (máx.)

±20V

Función FET

Standard

Disipación de potencia (máx.)

1.8W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-23-6L

Paquete / Caja

SOT-23-6

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

4822-G7K2N20LLETR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)

Estado de REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0000

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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