Número de Producto del Fabricante:
GT016N10Q
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT016N10Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 228A TO-247
Descripción Detallada:
228A (Tc) Surface Mount TO-247-3
Inventario:
25 Pcs Nuevos Originales En Stock
13259166
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
GT016N10Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
228A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9530 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
3141-GT016N10Q
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
TP65H035G4QS
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
GT1K2P15K
MOSFET P-CH 150V 27A TO-252
TP65H050G4YS
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
