Número de Producto del Fabricante:
GT030N08T
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT030N08T-DG
Descripción:
N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Descripción Detallada:
N-Channel 85 V 200A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12997613
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ENVIAR
GT030N08T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
85 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5822 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
260W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
3141-GT030N08T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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