Número de Producto del Fabricante:
GT035N06T
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT035N06T-DG
Descripción:
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
148 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986834
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
GT035N06T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5064 pF @ 30 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
215W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
3141-GT035N06T
4822-GT035N06T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDBL9406-F085HM
MOSFET
TW083N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
PJA3434-AU_R1_000A1
MOSFET 20V 750MA SOT-23
