Número de Producto del Fabricante:
GT105N10F
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT105N10F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Descripción Detallada:
N-Channel 33A (Tc) 20.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventario:
60000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986227
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ENVIAR
GT105N10F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
20.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
4822-GT105N10F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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