Número de Producto del Fabricante:
GSFN2306
Product Overview
Fabricante:
Good-Ark Semiconductor
Número de pieza:
GSFN2306-DG
Descripción:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 65A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PPAK (3.05x3.08)
Inventario:
5895 Pcs Nuevos Originales En Stock
13004227
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ENVIAR
GSFN2306 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Good Ark Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2790 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
44.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PPAK (3.05x3.08)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
4786-GSFN2306CT
4786-GSFN2306DKR
4786-GSFN2306TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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