Número de Producto del Fabricante:
IRF641
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
Número de pieza:
IRF641-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
14411 Pcs Nuevos Originales En Stock
12931737
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ENVIAR
IRF641 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1275 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
173
Otros nombres
2156-IRF641
HARHARIRF641
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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