IRF642R

Número de Producto del Fabricante:

IRF642R

Product Overview

Fabricante:

Harris Corporation

Número de pieza:

IRF642R-DG

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 16A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

500 Pcs Nuevos Originales En Stock

12931508

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IRF642R Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Embalaje

Bulk

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

16A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

220mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1275 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja

TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

342

Otros nombres

2156-IRF642R

HARHARIRF642R

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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