IRF9512
Número de Producto del Fabricante:

IRF9512

Product Overview

Fabricante:

Harris Corporation

Número de pieza:

IRF9512-DG

Descripción:

P-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 2.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

4210 Pcs Nuevos Originales En Stock
12933363
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IRF9512 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
IRF9510

Información Adicional

Paquete Estándar
544
Otros nombres
2156-IRF9512
HARHARIRF9512

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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