IRFD112
Número de Producto del Fabricante:

IRFD112

Product Overview

Fabricante:

Harris Corporation

Número de pieza:

IRFD112-DG

Descripción:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip

Inventario:

1371 Pcs Nuevos Originales En Stock
12933649
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IRFD112 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
135 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DIP, Hexdip
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
IRFD113

Información Adicional

Paquete Estándar
807
Otros nombres
2156-IRFD112
HARHARIRFD112

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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