Número de Producto del Fabricante:
IRFD220
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
Número de pieza:
IRFD220-DG
Descripción:
0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Inventario:
913 Pcs Nuevos Originales En Stock
12975908
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ENVIAR
IRFD220 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 480mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRFD220
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
579
Otros nombres
2156-IRFD220
HARHARIRFD220
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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