Número de Producto del Fabricante:
RF1S50N06
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
Número de pieza:
RF1S50N06-DG
Descripción:
50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventario:
2746 Pcs Nuevos Originales En Stock
12955141
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ENVIAR
RF1S50N06 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
131W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
290
Otros nombres
2156-RF1S50N06
HARHARRF1S50N06
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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