AUIRF1018E

Número de Producto del Fabricante:

AUIRF1018E

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

AUIRF1018E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

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12801971

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AUIRF1018E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

Tube

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Not For New Designs

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

79A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs

8.4mOhm @ 47A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 100µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

69 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2290 pF @ 50 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

110W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

AUIRF1018

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Otros nombres

SP001519520

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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