Número de Producto del Fabricante:
AUIRF7669L2TR
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AUIRF7669L2TR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 114A (Tc) 3.3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventario:
3990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12798891
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ENVIAR
AUIRF7669L2TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Ta), 114A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5660 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DirectFET™ Isometric L8
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric L8
Número de producto base
AUIRF7669
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
AUIRF7669L2TR-DG
AUIRF7669L2TRTR
SP001519182
AUIRF7669L2TRCT
2156-AUIRF7669L2TR
IFEINFAUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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