Número de Producto del Fabricante:
AUIRFU8403
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AUIRFU8403-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 99W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12822012
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
AUIRFU8403 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 76A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3171 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
99W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
AUIRFU8403
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IRAUIRFU8403
SP001518276
2166-AUIRFU8403-448
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
MMIX1F360N15T2
MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD
64-2144PBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
MMIX1F44N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 30A 24SMPD
