Número de Producto del Fabricante:
BSC014N06NSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC014N06NSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
Inventario:
14862 Pcs Nuevos Originales En Stock
12802204
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSC014N06NSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 120µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6500 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-17
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC014
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP000924886
BSC014N06NSATMA1CT
BSC014N06NSATMA1TR
BSC014N06NSTR
BSC014N06NSDKR-DG
BSC014N06NS-DG
BSC014N06NSATMA1DKR
BSC014N06NSTR-DG
BSC014N06NS
BSC014N06NSCT-DG
BSC014N06NSDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AUIRF5210S
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
BSS127H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSL802SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
