Número de Producto del Fabricante:
BSC021N08NS5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC021N08NS5ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventario:
2932 Pcs Nuevos Originales En Stock
12798806
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ENVIAR
BSC021N08NS5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™, StrongIRFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 146µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8600 pF @ 40 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-3
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC021
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-BSC021N08NS5ATMA1TR
448-BSC021N08NS5ATMA1DKR
SP001793410
448-BSC021N08NS5ATMA1CT
BSC021N08NS5ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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