Número de Producto del Fabricante:
BSC066N06NSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC066N06NSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 64A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventario:
12534 Pcs Nuevos Originales En Stock
12798825
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSC066N06NSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 20µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-6
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC066
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP001067000
BSC066N06NSATMA1TR
BSC066N06NSATMA1DKR
BSC066N06NSATMA1-DG
BSC066N06NSATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSP320SL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
AUIRFR8401
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
BSZ028N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
