Número de Producto del Fabricante:
BSO615CT
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSO615CT-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Inventario:
12840966
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ENVIAR
BSO615CT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A, 2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 20µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380pF @ 25V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-DSO-8
Número de producto base
BSO615
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
BSO615CXTINTR
BSO615CXTINDKR
BSO615CXTINCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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