BSP129L6327HTSA1
Número de Producto del Fabricante:

BSP129L6327HTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSP129L6327HTSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Inventario:

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ENVIAR

BSP129L6327HTSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
240 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 108µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
108 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
BSP129L6327HTSA1
Hoja de datos HTML
BSP129L6327HTSA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
INFINFBSP129L6327HTSA1
SP000089218
BSP129L6327HTSA1TR
BSP129 L6327-DG
BSP129 L6327
2156-BSP129L6327HTSA1-ITTR
BSP129L6327XT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
BSP129H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4926
NÚMERO DE PIEZA
BSP129H6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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