Número de Producto del Fabricante:
BSP295H6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSP295H6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
943 Pcs Nuevos Originales En Stock
12836864
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ENVIAR
BSP295H6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
368 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
BSP295
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSP295H6327XTSA1TR
SP001058618
BSP295H6327XTSA1CT
BSP295H6327XTSA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PJW3N10A_R2_00001
FABRICANTE
Panjit International Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
14009
NÚMERO DE PIEZA
PJW3N10A_R2_00001-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
DMN6068SE-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
18062
NÚMERO DE PIEZA
DMN6068SE-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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