Número de Producto del Fabricante:
BSS123IXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS123IXTMA1-DG
Descripción:
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Inventario:
12985211
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ENVIAR
BSS123IXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 13µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23-3-5
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS123
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
448-BSS123IXTMA1TR
448-BSS123IXTMA1CT
SP005558639
448-BSS123IXTMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSS123IXTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7750
NÚMERO DE PIEZA
BSS123IXTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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