BSS816NWH6327XTSA1
Número de Producto del Fabricante:

BSS816NWH6327XTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSS816NWH6327XTSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323

Inventario:

141893 Pcs Nuevos Originales En Stock
12855142
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSS816NWH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 2.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
vgs(th) (máx.) @ id
750mV @ 3.7µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT323
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
BSS816

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
INFINFBSS816NWH6327XTSA1
BSS816NWH6327XTSA1DKR
BSS816NWH6327XTSA1TR
2156-BSS816NWH6327XTSA1
SP000917562
BSS816NWH6327XTSA1CT
BSS816NWH6327XTSA1-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

MCH3475-TL-W

MOSFET N-CH 30V 1.8A SC70

onsemi

STD110N02RT4G

MOSFET N-CH 24V 32A DPAK

infineon-technologies

IRL3715STRLPBF

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK