Número de Producto del Fabricante:
BSZ160N10NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSZ160N10NS3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
58462 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801400
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ENVIAR
BSZ160N10NS3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 12µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ160
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSZ160N10NS3 GINTR-DG
BSZ160N10NS3 G-DG
BSZ160N10NS3 GINDKR-DG
BSZ160N10NS3GATMA1CT
BSZ160N10NS3 GINCT-DG
BSZ160N10NS3G
BSZ160N10NS3 GINDKR
SP000482390
BSZ160N10NS3 GINTR
BSZ160N10NS3 G
BSZ160N10NS3GATMA1DKR
BSZ160N10NS3GATMA1TR
BSZ160N10NS3 GINCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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