Número de Producto del Fabricante:
BUZ32H3045AATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BUZ32H3045AATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12799870
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ENVIAR
BUZ32H3045AATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
BUZ32
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BUZ32L3045AIN-DG
BUZ32 H3045A
BUZ32H3045AIN-DG
SP000736086
SP000102174
BUZ32 L3045A
BUZ32L3045AXT
BUZ32H3045AIN
BUZ32 L3045A-DG
BUZ32L3045AIN
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RCJ120N20TL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
33
NÚMERO DE PIEZA
RCJ120N20TL-DG
PRECIO UNITARIO
0.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRL630SPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRL630SPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.00
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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