Número de Producto del Fabricante:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 85A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2B
Inventario:
45 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996907
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ENVIAR
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tray
Serie
EasyPACK™
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
85A (Tj)
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 100A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.15V @ 40mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
297nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8800pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
AG-EASY2B
Número de producto base
F3L8MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
18
Otros nombres
448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
SP005562921
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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