Número de Producto del Fabricante:
FF4MR20KM1HHPSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
FF4MR20KM1HHPSA1-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Descripción Detallada:
Mosfet Array 2000V (2kV) 280A (Tc) Chassis Mount AG-62MMHB
Inventario:
4 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991523
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ENVIAR
FF4MR20KM1HHPSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tray
Serie
C
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel
Función FET
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
2000V (2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
280A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 300A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.15V @ 168mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1170nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
36100pF @ 1.2kV
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
AG-62MMHB
Número de producto base
FF4MR20
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
448-FF4MR20KM1HHPSA1
SP005349686
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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