Número de Producto del Fabricante:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 200A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Chassis Mount
Inventario:
12822931
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ENVIAR
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolSiC™+
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tj)
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.63mOhm @ 200A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.55V @ 80mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
496nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14700pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Número de producto base
FF6MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
18
Otros nombres
448-FF6MR12W2M1PB11BPSA1
SP004134434
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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