Número de Producto del Fabricante:
IAUT260N10S5N019ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUT260N10S5N019ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventario:
3577 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800568
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Cantidad
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Mínimo 1
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IAUT260N10S5N019ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
260A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 210µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11830 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IAUT260
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IAUT260N10S5N019DKR-DG
IAUT260N10S5N019
IAUT260N10S5N019CT-DG
IAUT260N10S5N019ATMA1DKR
IAUT260N10S5N019ATMA1CT
IAUT260N10S5N019ATMA1TR
SP001676336
IAUT260N10S5N019DKR
IAUT260N10S5N019ATMA1-DG
IAUT260N10S5N019CT
IAUT260N10S5N019TR-DG
IAUT260N10S5N019TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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