Número de Producto del Fabricante:
IGT60R070D1ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IGT60R070D1ATMA1-DG
Descripción:
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventario:
12800944
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IGT60R070D1ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
CoolGaN™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-3
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IGT60R070
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Documentos de confiabilidad
Resumen del producto
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SP001300364
IGT60R070D1ATMA1DKR
IGT60R070D1ATMA1CT
2156-IGT60R070D1ATMA1TR
IGT60R070D1ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IGT60R070D1ATMA4
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3044
NÚMERO DE PIEZA
IGT60R070D1ATMA4-DG
PRECIO UNITARIO
7.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB039N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
IPL60R095CFD7AUMA1
MOSFET N CH