Número de Producto del Fabricante:
IMDQ75R140M1HXUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMDQ75R140M1HXUMA1-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 750 V 17A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventario:
13269122
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ENVIAR
IMDQ75R140M1HXUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
750 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
129mOhm @ 4.7A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 1.7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
351 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HDSOP-22-1
Paquete / Caja
22-PowerBSOP Module
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
750
Otros nombres
448-IMDQ75R140M1HXUMA1CT
448-IMDQ75R140M1HXUMA1DKR
SP005588271
448-IMDQ75R140M1HXUMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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