Número de Producto del Fabricante:
IPA030N10N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA030N10N3GXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 79A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
12840602
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ENVIAR
IPA030N10N3GXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
79A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 79A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14800 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA030
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP000464914
448-IPA030N10N3GXKSA1
IPA030N10N3 G
IPA030N10N3G
IPA030N10N3 G-DG
IPA030N10N3GXKSA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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