Número de Producto del Fabricante:
IPA057N06N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA057N06N3GXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventario:
12802583
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ENVIAR
IPA057N06N3GXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 58µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6600 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-31
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA057
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPA057N06N3 G-DG
IPA057N06N3G
IFEINFIPA057N06N3GXKSA1
2156-IPA057N06N3GXKSA1
IPA057N06N3 G
SP000457582
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
AOTF2606L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
AOTF2606L-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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