Número de Producto del Fabricante:
IPA50R800CEXKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA50R800CEXKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4.1A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventario:
307 Pcs Nuevos Originales En Stock
13063956
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ENVIAR
IPA50R800CEXKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
13V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
26.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA50R800
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPA50R800CEXKSA2
SP001217234
ROCINFIPA50R800CEXKSA2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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