Número de Producto del Fabricante:
IPA70R360P7SXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA70R360P7SXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventario:
544 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851486
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPA70R360P7SXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
517 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
26.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA70R360
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001499698
448-IPA70R360P7SXKSA1
IPA70R360P7SXKSA1-DG
2156-IPA70R360P7SXKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSS123LT3G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
MCH6436-TL-E
MOSFET N-CH 30V 6A 6MCPH
FDMC6675BZ
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
